| 发明名称 | 控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法 | ||
| 摘要 | 本发明的控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法包括以下步骤：制作台阶高度与关键尺寸的关系曲线，所述台阶高度为硅片表面最高点与最低点之间的距离；测量实际的台阶高度；判断实际的台阶高度是否等于设定值，如果是，按照设定的曝光能量对光刻胶进行曝光，如果否，执行以下步骤；利用公式Esplit＝Ebaseline+(CDsplit-CDbaseline)*Slop计算曝光能量，按照计算出的曝光能量Esplit对光刻胶进行曝光，其中，Esplit表示实际的曝光能量，Ebaseline表示设定的曝光能量，CDsplit是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，实际的台阶高度所对应的关键尺寸，CDbaseline是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，台阶高度设定值所对应的关键尺寸，Slop为常数。 | ||
| 申请公布号 | CN102339733A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201010229224.1 | 申请日期 | 2010.07.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 夏婷婷;杨晓松;郁志芳;易旭东 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种控制不平坦硅片表面上的图形的关键尺寸的方法，其特征在于，包括以下步骤：制作台阶高度与关键尺寸的关系曲线，所述台阶高度为硅片表面最高点与最低点之间的距离；测量实际的台阶高度；判断实际的台阶高度是否等于设定值，如果是，按照设定的曝光能量对光刻胶进行曝光，如果否，执行以下步骤；利用公式Esplit＝Ebaseline+(CDsplit‑CDbaseline)*Slop计算曝光能量，按照计算出的曝光能量Esplit对光刻胶进行曝光，其中，Esplit表示实际的曝光能量，Ebaseline表示设定的曝光能量，CDsplit是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，实际的台阶高度所对应的关键尺寸，CDbaseline是台阶高度与关键尺寸的关系曲线中，台阶高度设定值所对应的关键尺寸，Slop为常数。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||