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发明名称 STRUCTURE AND FABRICATION OF FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING NITRIDED GATE DIELECTRIC LAYER WITH TAILORED VERTICAL NITROGEN CONCENTRATION PROFILE
摘要
申请公布号 EP2412017(A1) 申请公布日期 2012.02.01
申请号 EP20100756494 申请日期 2010.03.25
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION 发明人 CHAPARALA, PRASAD;PARKER, D., COURTNEY
分类号 H01L21/70;H01L21/28;H01L29/02;H01L29/10;H01L29/51 主分类号 H01L21/70
代理机构 代理人
主权项
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