水基6H-SiC单晶衬底化学机械抛光液及其制备方法

摘要

本发明公开了一种6H-SiC单晶片全局平面化的化学机械抛光液。它以球形微纳米颗粒为磨料，按重量百分比计，其成分包括0.2～10％的1～3种10～250纳米球形颗粒为磨料，0.05～15％分散稳定剂，0.05～25％具有化学作用的添加剂，0.001～5％的润滑剂，同时加入pH调节剂调至pH值为9.5～13.5，余量的为高纯去离子水。该抛光液去除率可控，抛光后晶片无损伤、平整度高，价格便宜，成本低。可用于硬脆性晶体材料中的CMP过程以及其他光学材料的精密化学机械抛光。

主权项

1.一种水基6H-SiC单晶衬底化学机械抛光液，其特征在于，其组分与重量百分比如下：磨料选用纳米SiO₂水溶胶或Al₂O₃或纳米金刚石微粉之一或其混合物。