半导体元件

摘要

本发明的半导体元件包括一半导体基板。该半导体基板包括一第一反型区、一第二反型区及位于第一反型区与第二反型之间的一沟道区，位于沟道区和第一反型区及第二反型区上的一第一绝缘层，位于第一绝缘层上的一俘获层，位于俘获层上的一第二绝缘层。上述半导体元件还包括一控制栅极、一第一扩散区、一第二扩散区以及至少一次栅极，其中次栅极包括一第一次栅极与一第二次栅极，前述第一次栅极位于第一扩散区上方，前述第二次栅极位于第二扩散区上方，第一次栅极、第二次栅极和控制栅极都位于第二绝缘层上。

主权项

一种储存器阵列，其特征在于包括：一半导体基板；多个储存单元，其中每个储存单元包括：一第一反型区，位于该半导体基板内；一第二反型区，位于该半导体基板内；一沟道区，位于该第一反型区和该第二反型区之间的该半导体基板内；及一栅极结构，位于该沟道区上方的该半导体基板上，其中该栅极结构包括：一第一绝缘层，位于该沟道区上；一俘获层，位于该第一绝缘层上；一第二绝缘层，位于该俘获层上；一控制栅极；一第一扩散区，位于该多个储存单元的一第一末端；一第二扩散区，位于该多个储存单元的一第二末端；以及一次栅极，藉由一栅极介电层而与每个储存单元的该第一反型区和该第二反型区电性绝缘，并藉由一绝缘间隙壁而与该栅极结构电性绝缘，其中该多个储存单元共享该次栅极，且一部份的该次栅极位于该第一扩散区上方以及一部份的该次栅极位于该第二扩散区上方。