发明名称 光辅助/脉冲调制用大电流密度电子源
摘要 本实用新型公开了一种光辅助/脉冲调制用大电流密度电子源,应用于大功率超高频真空电子器件领域。电子源包括衬底(1)、N个大小相同的同心环电极(3)、电极引线(2)、衬底外缘电极(4);其中,所述N个同心环电极(3)均匀分布在衬底(1)上,所述同心环电极具有亚波长周期电极结构,通过电极引线与衬底外缘电极(4)连接,在同心环电极(3)表面制备有冷阴极电子发射材料。本实用新型将电子源设计为亚波长周期结构,提高了光-场发射中的光子吸收效率,增强光脉冲对电子发射的调制效果。
申请公布号 CN202134485U 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN201120240163.9 申请日期 2011.07.08
申请人 东南大学 发明人 王琦龙;雷威;张晓兵
分类号 H01J3/02(2006.01)I;H01J1/30(2006.01)I;H01S1/00(2006.01)I 主分类号 H01J3/02(2006.01)I
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人 许方
主权项 一种大电流密度电子源,其特征在于:包括衬底(1)、N个大小相同的同心环电极(3)、电极引线(2)、衬底外缘电极(4);其中,所述N个同心环电极(3)均匀分布在衬底(1)上,所述同心环电极具有亚波长周期电极结构,通过电极引线与衬底外缘电极(4)连接,在同心环电极(3)表面制备有冷阴极电子发射材料,N为自然数。
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