| 发明名称 | 自对准纳米管场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括沉积在衬底(102)上的碳纳米管(104)、分别形成在该碳纳米管(104)的第一端和第二端的源极和漏极(106-107)、以及基本形成在该碳纳米管(104)的一部分上并通过介电膜(111)与该碳纳米管隔开的栅极(112)。 | ||
| 申请公布号 | CN1669160B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN03806292.5 | 申请日期 | 2003.02.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 乔尔格·阿彭泽勒;佩登·阿沃里斯;凯文·K·钱;菲利普·G·科林斯;理查德·马特尔;汉森·P·黄 |
| 分类号 | H01L51/30(2006.01)I;H01L51/20(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
| 主权项 | 一种自对准碳纳米管场效应晶体管半导体器件，包括：沉积在衬底上的碳纳米管；形成在该碳纳米管的第一端的源极；形成在该碳纳米管的第二端的漏极；以及形成在该碳纳米管的一部分上，通过介电膜与该碳纳米管隔开的栅极，其中该栅极还通过氧化物层与该碳纳米管隔开，该介电膜形成在该氧化物层上，其中，所述栅极、源极和漏极是自对准的。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||