发明名称 |
一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用 |
摘要 |
本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼(hBN)基底及其制备方法,将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面,然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼,得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用,通过调节氢气比例、退火温度、退火时间来控制hBN的刻蚀速率和刻蚀程度,达到刻蚀出规则单原子台阶的目的。该制备工艺和化学气相沉积法制备石墨烯的工艺相兼容,可以用于石墨烯纳米带的制备。主要应用于新型石墨烯电子器件。 |
申请公布号 |
CN102336588A |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN201110247262.4 |
申请日期 |
2011.08.25 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
丁古巧;唐述杰;谢晓明;江绵恒 |
分类号 |
C04B41/53(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/53(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底,其特征在于,所述六角氮化硼基底的解理面上具有单原子层台阶,所述单原子层台阶的单个台阶高度为一个氮化硼原子层的厚度。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |