| 发明名称 | 多晶硅化学机械研磨工艺的研磨垫预研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了多晶硅CMP工艺中的研磨垫预研磨方法，不仅能够达到研磨所需化学平衡状态，而且成本低，时间短。本发明提出的方案在于采用裸硅晶圆(Bare??Wafer)对新研磨垫进行预研磨。裸硅晶圆是单晶硅，在预研磨过程中能够与研磨液发生Si-＞Si4+的化学反应，而且无需制作Poly膜，节约了现有方案制作Poly膜所需的时间及成本。 | ||
| 申请公布号 | CN102339742A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201110257441.6 | 申请日期 | 2011.09.01 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 李儒兴;陈海蓉;朱华;李志国 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种多晶硅化学机械研磨(CMP)工艺的研磨垫预研磨方法，其特征在于，包括步骤：提供裸硅晶圆片；更换研磨垫；采用裸硅晶圆片、研磨液及更换后的研磨垫进行预研磨。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||