| 发明名称 | GaN衬底以及采用该衬底的器件 | ||
| 摘要 | GaN衬底以及采用该衬底的器件。GaN衬底(30)的生长面(30a)是相对于m-面或a-面离轴定向的平面。亦即，在GaN衬底(30)中，生长面(30a)是已被偏离定向的m-面或a-面。由于，m-面和a-面是非极性面，利用该GaN衬底(30)，制造半导体发光器件，避免压电场的影响，使之可以实现优越的发射效率。根据m-面或a-面来对生长面施加离轴角，在衬底上生长晶体中实现高质量形态。利用该GaN衬底制造半导体发光器件，能够进一步提高发射效率。 | ||
| 申请公布号 | CN102339915A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201110304304.3 | 申请日期 | 2008.05.19 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 秋田胜史 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 梁晓广;关兆辉 |
| 主权项 | 一种具有平面的GaN衬底，其中所述平面以相对于m 面至少在<0001>方向或<11 20>方向或者相对于a 面至少在<0001>方向或<1 100>方向的离轴角定向，并且其中所述离轴角大于等于0.03度小于等于1度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||