绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺

摘要

绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺，包括：a、在半导体衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型顶层单晶硅，在N型顶层单晶硅上生成表面氧化层，在表面氧化层表面涂光刻胶，在光刻胶上刻蚀出深硅槽大小的窗口；b、腐蚀裸露出的表面氧化层并露出要刻蚀的N型顶层单晶硅；c、利用表面氧化层作为刻蚀N型顶层单晶硅的掩蔽层，采用各向异性等离子干法刻蚀工艺，刻蚀出纵横比为7∶1.2至7∶3的深硅槽；紧接着完全腐蚀掉表面氧化层，同时腐蚀埋氧化层，使深硅槽的底部位置的下移深度为埋氧化层的厚度的15％-25％；d、采用湿氧法在深硅槽的侧壁上生长隔离氧化层；e、采用无掺杂的多晶硅来进行填充深硅槽。

主权项

一种绝缘体上硅深硅槽隔离结构的制备工艺，包括：a、在半导体衬底(1)上面设置有埋氧化层(2)，在埋氧化层(2)上设有N型顶层单晶硅(3)，在N型顶层单晶硅(3)上生成表面氧化层(41)，在表面氧化层(41)表面涂覆光刻胶(42)，在光刻胶(42)上刻蚀出深硅槽尺寸大小的窗口并裸露出表面氧化层(41)；b、腐蚀裸露出的表面氧化层(41)并露出要刻蚀的N型顶层单晶硅(3)；其特征在于，c、利用表面氧化层(41)作为刻蚀N型顶层单晶硅(3)的掩蔽层，采用各向异性等离子干法刻蚀工艺，刻蚀出纵横比为7∶1.2至7∶3的深硅槽，且N型顶层单晶硅(3)被完全刻穿；紧接着完全腐蚀掉表面氧化层(41)，同时腐蚀埋氧化层(2)，使位于埋氧化层(2)中的深硅槽的底部位置的下移深度为埋氧化层(2)的厚度的15％‑25％；d、采用湿氧法在深硅槽的侧壁上生长隔离氧化层(5)；e、采用无掺杂的多晶硅(6)来进行填充深硅槽。