化学机械研磨浆料、化学机械研磨法及半导体装置的制法

摘要

提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。

主权项

半导体装置的制造方法，其特征在于，包括如下工序：在基板上形成绝缘膜的工序，在所述绝缘膜上形成凹部的工序，在形成有所述凹部的所述绝缘膜上依次形成下层膜、中间层和抗蚀剂膜的工序，将所述抗蚀剂膜进行图案曝光的工序，其中，形成所述下层膜的工序包括：在形成有所述凹部的所述绝缘膜上通过涂布以热塑性酚醛树脂为主成分的材料并在90℃～160℃进行烘培从而形成有机膜以掩埋该凹部的工序，使用浆料化学机械研磨所述有机膜而使所述有机膜平坦化的工序，所述浆料为，含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子，所述水溶性高分子为选自水溶性纤维素类、水溶性多糖类、聚乙二醇、聚乙烯亚胺、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、聚丙烯酰胺和聚氧化乙烯中的至少一种。