| 发明名称 | 一种P156多晶硅低效电池片再烧结处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种P156多晶硅低效电池片再烧结处理方法，包括如下步骤：a通过测试仪分类电池片，将低效片单独分为一档集中收集；b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；c统一放置后，将待处理低效片等间隔连续放入烧结炉进行再烧结处理。采用本方案可以降低低效电池片的最终比例，减小公司的成本损耗，提高收益率。 | ||
| 申请公布号 | CN102339906A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201110333079.6 | 申请日期 | 2011.10.28 |
| 申请人 | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 | 发明人 | 张长江;吴国强;王庆钱 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种P156多晶硅低效电池片再烧结处理方法，其特征在于包括如下步骤：a通过测试仪分类电池片，将低效片单独分为一档集中收集；b集中收集后全部正面朝下背面朝上放置；c统一放置后，将待处理低效片等间隔连续放入烧结炉进行再烧结处理。 | ||
| 地址 | 314206 浙江省嘉兴市平湖市新仓镇童车路1号 | ||