掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法及其结构

摘要

本发明涉及光伏电池制造技术领域，特别是一种掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法及其结构。以p型直拉单晶硅为基体，正面通过磷扩散制备P-N结，在正面沉积致密的SiNx薄膜作为背面硼扩散的掩膜，此掩膜在硼扩散完成后并不会完全去除，要保留60-100nm作为正面减反膜，硅片的背面通过硼扩散制备背面场，背面场上覆盖有钝化膜和/或减反膜，硅片的正面和背面设置电极。本发明的有益效果是：与现有工艺方法相比，工艺过程简单，容易控制，成本低，光电转换效率高。

主权项

一种掩膜扩散法制备P型太阳能电池的方法，其特征是：以p型直拉单晶硅为基体，正面通过磷扩散制备P‑N结，在正面沉积致密的SiNx薄膜作为背面硼扩散的掩膜，此掩膜在硼扩散完成后并不会完全去除，要保留60‑100nm作为正面减反膜，硅片的背面通过硼扩散制备背面场。