发明名称 | 半导体材料制造 | ||
摘要 | 本发明揭示包括接合到晶片或衬底的体区域的半导体层的电子设备、系统及方法,其中可使用电磁辐射将所述半导体层接合到所述体区域。本发明还揭示额外设备、系统及方法。 | ||
申请公布号 | CN102341890A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
申请号 | CN201080010975.2 | 申请日期 | 2010.02.04 |
申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 尼尚特·辛哈;古尔特杰·S·桑胡;约翰·斯迈思 |
分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
主权项 | 一种方法,其包含:将离子引入到施主晶片中靠近所述施主晶片的一区域,所述区域具有改性剂,所述改性剂不同于所述施主晶片的体材料,所述区域安置于距所述施主晶片的表面的一距离处;将产品晶片与所述施主晶片接合在一起;及用电磁辐射照射所述改性剂以使所述施主晶片的体区域与所述产品晶片分裂而所述产品晶片仍接合到来自所述施主晶片的膜,所述电磁辐射被调谐到与所述改性剂的吸收相关的频率。 | ||
地址 | 美国爱达荷州 |