一种新型提纯硅的方法

摘要

本发明涉及一种新型提纯硅的方法，包括以下步骤：1)坩埚内表面覆涂一层氮化硅，涂层厚度为0.1～0.49mm，对坩埚预热；；2)停止对坩埚的加热，倒入温度为1600℃以上的液态硅，依据液态硅的纯度选择混合气体的组份及体积比，从坩埚底部对呈熔融状态的液态硅吹入混合气体，并控制吹入气体的压力、流量；3)液态硅从底部和四周开始向中心快速定向凝固，经一定时间停止吹气；4)倒出硅锭中心未凝固的液态硅，对硅锭进行去除四周、头尾和中心空球的边皮，得到高纯度的多晶硅。本发明的优点是一种低成本、工艺简单、易于产业化的新型提纯多晶硅的制作工艺和制作方法，此工艺对多晶硅材料和太阳能光伏电池的发展具有重大意义和巨大的推动作用。

主权项

一种新型提纯硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)坩埚内表面覆涂一层氮化硅，涂层厚度为0.1～0.49mm，对石墨坩埚预热，温度为800～1200℃，预热时间为6～10小时；(2)停止对坩埚的加热后，倒入温度为1600℃以上的液态硅，依据液态硅的纯度选择混合气体的组份及体积比，从石墨坩埚底部对呈熔融状态的液态硅吹入混合气体，并控制吹入气体的压力、流量；(3)液态硅从底部和四周开始向中心快速定向凝固，经一定时间停止吹气；(4)倒出硅锭中心未凝固的液态硅；或将硅锭头部向下形成一定角度，液态硅凝固在顶部，对硅锭进行去除四周、头尾和中心空球的边皮，得到高纯度的多晶硅。