一种CMOS器件辐照位移损伤的估算方法

摘要

本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括：根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：Ids＝prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3，其中，case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化，prob是入射粒子打到器件不同位置的概率，根据该计算公式，得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids，从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。利用本发明能够准确地估算出器件和集成电路在辐射环境中的位移损伤效应。

主权项

一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，其特征在于，根据入射粒子打到器件源、漏端，沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：Ids＝prob1×case1+prob2×case2+prob3×case3，case是入射粒子打到器件不同位置处的位移损伤造成器件漏端电流变化，prob是入射粒子打到器件不同位置的概率，其中，利用单粒子打入器件源、漏端引起的有效栅压和漏压减小变化值，得到位移损伤造成器件漏端电流变化case1，利用单粒子打入器件沟道区的掺杂浓度和迁移率变化值，得到位移损伤造成器件漏端电流变化case2，当入射粒子打到器件隔离区时，位移损伤只造成NMOS器件漏端电流变化，而对PMOS器件无影响，利用单粒子打入NMOS器件隔离区的泄漏电流变化值，得到位移损伤造成器件漏端电流变化case3，其中prob1、prob2和prob3与case1、case2和case3一一对应，根据该计算公式，得到入射粒子位移损伤造成器件漏端电流的变化量Ids，从而估算出CMOS器件在辐射环境中的位移损伤。