发明名称 | 用于操作闪存器件的方法 | ||
摘要 | 非易失性存储器阵列其中包括第一和第二块三态存储单元。这些第一和第二块被配置来分别作为第一和第二块物理存储单元独立运行,并且整体作为另一块虚拟存储单元运行。可以独立地读取第一和第二块存储单元和另一块虚拟存储单元来提供总共三块读取数据。 | ||
申请公布号 | CN101807432B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
申请号 | CN201010167358.5 | 申请日期 | 2006.03.10 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 黄相元 |
分类号 | G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
主权项 | 一种操作闪存器件的方法,包括步骤:对所述闪存器件中的第一页闪存单元编程;对所述闪存器件中的第二页闪存单元编程;从所述第一页闪存单元读取第一页闪存数据;从所述第二页闪存单元读取第二页闪存数据;将第三页闪存数据编码到第一和第二页闪存数据中,由此产生第一和第二页编码的闪存数据;用第一页编码的闪存数据编程闪存器件中的第一页闪存单元;用第二页编码的闪存数据编程闪存器件中的第二页闪存单元;和响应于分别从第一和第二页闪存单元中读取第一和第二页编码的闪存数据,产生第三页闪存数据,其中,所述第一页闪存单元和所述第二页闪存单元分别被配置来作为闪存单元物理页独立运行,并且整体作为闪存单元虚拟页运行,其中,所述闪存器件是NAND型闪存阵列,所述闪存单元是三态EEPROM单元。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |