| 发明名称 | 背面触点太阳能电池及制造方法 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，通过选择性沉积在晶片(100)背面的掺杂剂源(201，202，203，204)中的掺杂剂扩散来形成太阳能电池的有效扩散结(211，212，213，214)。例如，所述掺杂剂源(201，202，203，204)可使用印刷方法进行选择性沉积。可采用多个掺杂剂源形成具有不同掺杂浓度的有效扩散区。例如，可制成三个或四个有效扩散区来优化太阳能电池的硅/介电材料界面、硅/金属界面以及前述两界面。所述晶片的正面(103-1)在形成掺杂剂源(201，202，203，204)前采用织构工艺进行织构化，以将晶片材料的去除最小化。可以用自对准接触窗口刻蚀工艺形成使金属栅线能连接到有效扩散结的窗口，以将未对准的影响降到最小。 | ||
| 申请公布号 | CN101443893B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN200680047717.5 | 申请日期 | 2006.12.20 |
| 申请人 | 太阳能公司 | 发明人 | D·德瑟斯特;P·J·卡曾斯;R·M·斯旺森;J·E·曼宁 |
| 分类号 | H01L21/38(2006.01)I;H01L21/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 一种在背面触点太阳能电池中形成有效扩散区的方法，所述方法包括：提供要加工成太阳能电池的晶片，所述晶片的正面配置成在太阳能电池正常运行时朝向太阳；在所述晶片的背面上选择性地沉积第一组P型掺杂剂源和第一组N型掺杂剂源，该背面与太阳能电池的所述正面相对，所述第一组P型掺杂剂源和第一组N型掺杂剂源通过在印刷过程的单行程中将其直接印刷在晶片的背面上进行选择性沉积；和进行扩散步骤，将第一组P型掺杂剂源中的掺杂剂扩散形成太阳能电池的第一组P型有效扩散区，并将第一组N型掺杂剂源中的掺杂剂扩散形成太阳能电池的第一组N型有效扩散区。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||