| 发明名称 | 半导体器件的柱型电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件的柱型电容器及其制造方法。在该柱型电容器中，在存储节点触点的上部上形成柱体。在柱体的侧壁上形成底部电极，并且在柱体和底部电极上形成介电膜。然后，在介电膜的上部上形成顶部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102339832A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201110023979.0 | 申请日期 | 2011.01.21 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 曹豪辰;朴哲焕;李东均 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/108(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;何胜勇 |
| 主权项 | 一种半导体器件的柱型电容器，所述电容器包括：柱体，其布置在存储节点触点的上部上；底部电极，其布置在所述柱体的侧壁上；介电膜，其布置在所述柱体和所述底部电极上；以及顶部电极，其布置在所述介电膜上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||