发明名称 |
阵列基板及其制造方法和具有该阵列基板的显示器件 |
摘要 |
一种阵列基板及其制造方法以及具有该基板的显示器件。在该显示器件中,第一像素电极和第二像素电极形成在像素区域。第一像素电极经由连接电容连接到第二像素电极。电压通过连接电容从第一像素电极供给到第二像素电极。因此,施加到第二像素电极的电压取决于施加到第一像素电极的电压且两个电压的具有确定比率。在像素区域施加两个不同电压可以提高显示质量。 |
申请公布号 |
CN101330087B |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN200810144876.8 |
申请日期 |
2005.07.07 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
严允成;柳在镇;李昶勋;郑美惠 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
一种薄膜晶体管基板,包括:绝缘板;栅极线,形成在所述绝缘板上并限定像素区域的第一边界;存储电极线,形成在所述绝缘板上并横过所述像素区域的中间部分,所述存储电极线包括存储电极,所述存储电极具有比所述存储电极线的其他部分更大的宽度;栅极绝缘层,形成在所述栅极线和所述存储电极线上;数据线,形成在所述栅极绝缘层上并与所述栅极线和所述存储电极线绝缘,所述数据线与所述栅极线交叉并形成所述像素区域的第二边界;连接电极,形成在所述栅极绝缘层上并与所述存储电极完全交叠;薄膜晶体管,包括:栅极,连接到所述栅极线;源极,连接到所述数据线;和漏极;钝化层,形成在所述数据线、所述连接电极和所述薄膜晶体管上,所述钝化层中形成有第一接触孔和第二接触孔;第一像素电极,形成在所述钝化层上,所述第一像素电极通过所述第一接触孔连接到所述薄膜晶体管的漏极并通过所述第二接触孔连接到所述连接电极;以及第二像素电极,形成在所述钝化层上,所述第二像素电极通过开口区域与所述第一像素电极隔开并与所述连接电极部分交叠,其中所述第一像素电极和所述第二像素电极相对于将所述像素区域等分的虚构线对称,该虚构线与所述栅极线平行,且其中所述开口区域被分成第一部分和第二部分:所述第一部分与所述栅极线形成45度的角,所述第一部分被分离成两个部分且其中一部分与另一部分形成90度的角;以及所述第二部分与所述栅极线形成90度的角并与所述存储电极完全交叠。 |
地址 |
韩国京畿道 |