半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，包含：提供一具有一第一区域及一第二区域的基材，各自形成一第一栅极堆叠于该第一区域及一第二栅极堆叠该第二区域，该第一栅极堆叠含一第一虚置栅极及该第二栅极堆叠含一第二虚置栅极，移除该第一栅极堆叠中的第一虚置栅极形成一第一沟槽及移除该第二栅极堆叠中的第二虚置栅极形成一第二沟槽，形成一第一金属层于该第一及第二沟槽中，移除在第一沟槽中至少一部分的第一金属层，形成一第二金属层于该第一及第二沟槽的剩余部分，回焊该第二金属层，及进行一化学机械研磨。本发明提供了一种简单又具有经济效益的方法来在后栅极工艺形成对于NMOS及PMOS装置具有适当功函数的金属栅极，能减少成本及简化工艺。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包含：提供一具有一第一区域及一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数介电层于该半导体基材上；形成一半导体层于该高介电常数介电层上；形成一第一栅极堆叠于该第一区域及一第二栅极堆叠于该第二区域，该第一及第二栅极堆叠皆包含该高介电常数介电层及该半导体层；由该第一栅极堆叠及该第二栅极堆叠移除该半导体层以形成一第一沟槽及一第二沟槽；形成一阻障层于该第一沟槽及该第二沟槽中；形成一第一金属层于该阻障层上，该第一金属层的厚度为50至削去或薄化该第一沟槽中的一部分的该第一金属层，以使该第一沟槽中剩余的该第一金属层的厚度小于形成一第二金属层于该第一沟槽及该第二沟槽中；以及进行一热处理以回焊该第二金属层。