| 发明名称 | 等离子体处理系统中确定清洁或调节处理终点的装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置。所述层通过先前处理沉积在表面上。所述装置包括用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度。所述装置还包括用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度，以及用于确定所述厚度作为时间的函数的装置。所述装置进一步包括用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。 | ||
| 申请公布号 | CN102339714A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201110279931.6 | 申请日期 | 2006.03.24 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 埃里克·赫德森;道格拉斯·凯尔;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 李献忠 |
| 主权项 | 一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的装置，所述层通过先前处理沉积在表面上，所述装置包括：用于提供与所述表面共面的传感器的装置，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度；用于将等离子体室暴露给等离子体的装置，其中，通过所述暴露来改变所述厚度；用于确定所述厚度作为时间的函数的装置；以及用于确定所述厚度中的稳态条件的装置，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||