发明名称 | 电性可编程熔丝位 | ||
摘要 | 本发明公开了一次性可编程(OTP)非易失性熔丝存储器单元,为了读取它们的数据内容其不需要解码或寻址。每个熔丝存储器单元将其内容锁存在它的输出并且随时可用,例如,可以用于代码存储器、连续构造存储器、以及作为用于ID(鉴别)的单个熔丝位、修正、以及其它芯片上系统(System-on-Chip,简称SoC)的接线柱构造。本发明还提供了用于为了设计测试而暂时数据储存的手段。在另外的实施方式中,在单个存储器单元中使用两个微分编程的熔丝,而选择电路和编程电路被合并。 | ||
申请公布号 | CN101375345B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
申请号 | CN200780003644.4 | 申请日期 | 2007.01.29 |
申请人 | 克劳帕斯有限公司 | 发明人 | 杰克·泽仲·彭;大卫·方;格伦·阿诺德·罗森达尔 |
分类号 | G11C17/00(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/00(2006.01)I |
代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 戴建波 |
主权项 | 一种非易失性可编程只读存储器单元,该存储器单元具有连续可用的数据内容而不用解码或寻址,该存储器单元包括:具有源极、漏极和门电路的选择晶体管,其中,所述选择晶体管的源极或者漏极被连接到第一电压,而该源极和漏极中的另一个则形成第一连接点;以及具有源极、漏极和门电路的熔丝晶体管,其中,所述熔丝晶体管的源极、漏极或源极和漏极形成第二连接点,其中,所述第二连接点是所述存储器单元的输出口;所述第一连接点和所述第二连接点进行电连接;以及通过打开所述选择晶体管并在预定时段向所述熔丝晶体管的门电路施加受控制的高压、而永久性地改变所述熔丝晶体管的至少一个物理特性,从而使逻辑电平的数据在所述存储器单元中被编程。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |