发明名称 |
一种单晶硅片的超声波清洗装置 |
摘要 |
本实用新型公开了一种单晶硅片的超声波清洗装置,包括清洗槽和搁置单晶硅片的框架,在清洗槽的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口,在清洗槽内腔底部设有超声波振子;所述框架包括石英网格面和支架,所述石英网格面通过支架平置于清洗槽内,且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽内腔底部存在间距。本实用新型提供的单晶硅片的超声波清洗装置,结构简单,能够增加单晶硅片清洗后的清洁度,并能够减少用水。 |
申请公布号 |
CN202134514U |
申请公布日期 |
2012.02.01 |
申请号 |
CN201120218174.7 |
申请日期 |
2011.06.26 |
申请人 |
江苏顺大半导体发展有限公司 |
发明人 |
倪云达;葛正芳;钱大丰 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;B08B3/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
代理人 |
徐激波 |
主权项 |
一种单晶硅片的超声波清洗装置,其特征在于:该清洗装置包括清洗槽(1)和搁置单晶硅片的框架(2),在清洗槽(1)的侧壁上设有去离子水的进水口和出水口,在清洗槽(1)内腔底部设有超声波振子;所述框架(2)包括石英网格面和支架,所述石英网格面通过支架平置于清洗槽(1)内,且石英网格面低于去离子水水平面并与清洗槽(1)内腔底部存在间距。 |
地址 |
225653 江苏省扬州市高邮市天山镇工业园区 |