| 发明名称 | 氮化物半导体元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 氮化物半导体元件具有：以C面为生长面并且在上表面具有凹凸的第一氮化物半导体层(103)；和在第一氮化物半导体层(103)之上按照与凹凸接触的方式形成、并且为p型的第二氮化物半导体层(104)。位于凹凸的侧壁正上方的第二氮化物半导体层(104)的p型载流子浓度是1×1018/cm3以上。 | ||
| 申请公布号 | CN102341922A | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN201080010085.1 | 申请日期 | 2010.02.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 福岛康之;上田哲三 |
| 分类号 | H01L33/32(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体元件，具有：第一氮化物半导体层，其将C面作为生长面，并且在上表面具有凹凸；和第二氮化物半导体层，其在所述第一氮化物半导体层上按照与所述凹凸接触的方式形成，并且为p型，位于所述凹凸的侧壁正上方的所述第二氮化物半导体层的p型载流子浓度为1×1018/cm3以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||