发明名称 一种图形化的石墨烯场发射阴极及其制备方法
摘要 本发明公开了一种图形化的石墨烯场发射阴极及其制备方法,包括阴极基板,设置于阴极基板表面的阴极和设置于阴极表面的石墨烯层,并在阴极与石墨烯之间引入导电性粘附层,通过光刻-剥离技术实现石墨烯层的图形化制备,从而获得图形化的场发射阴极。本发明提供的石墨烯场发射阴极,其电子发射电流密度大、工艺过程简单、成本低、发射稳定均匀,实现了图形化制备,适用于场发射显示器、场发射平面光源、液晶显示器用场发射背光源和真空电子器件冷阴极。
申请公布号 CN102339712A 申请公布日期 2012.02.01
申请号 CN201110292565.8 申请日期 2011.09.30
申请人 福州大学 发明人 李福山;郭太良;吴朝兴;张永志;张蓓蓓;寇丽杰
分类号 H01J29/04(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I 主分类号 H01J29/04(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种图形化的石墨烯场发射阴极,包括阴极基板,设置于阴极基板表面的阴极和设置于阴极表面的石墨烯层,其特征在于:所述的石墨烯层与阴极之间存在导电性粘附层。
地址 350001 福建省福州市鼓楼区工业路523号