| 发明名称 | 氧化物蚀刻法 | ||
| 摘要 | 提供含有Ga和Zn中至少一种和In的非晶氧化物层的蚀刻方法，其包括使用含有乙酸、柠檬酸、盐酸和高氯酸中任一种的蚀刻剂蚀刻该非晶氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN101496183B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN200780028762.0 | 申请日期 | 2007.07.18 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 张建六 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 在包含ITO层和非晶氧化物层的结构中非晶氧化物层的蚀刻方法，该非晶氧化物层包含In和Ga、In和Zn、或In和Ga和Zn，该方法包括使用包含乙酸、柠檬酸、盐酸和高氯酸中任一种的蚀刻剂以比上述ITO层快的蚀刻速度蚀刻该包含In和Ga、In和Zn、或In和Ga和Zn的非晶氧化物层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||