| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层。根据本发明，提高了氮化物半导体发光器件的光功率，改善了光功率下降现象并提高了抗ESD(静电放电)的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN101577305B | 申请公布日期 | 2012.02.01 |
| 申请号 | CN200910143038.3 | 申请日期 | 2005.12.05 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 李昔宪 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;王春伟 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体发光器件，包括：第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的有源层；和形成在所述有源层上方的δ掺杂第二氮化物半导体层，其中所述δ掺杂第二氮化物半导体层形成为具有多于一个周期，所述周期包括未掺杂的层和δ掺杂的层，其中在所述δ掺杂第二氮化物半导体层中重复生长所述周期。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||