应用混合芯构件制备高纯硅棒的装置和方法

摘要

公开了应用混合芯构件制备多晶硅棒的方法和装置，它包括：将电阻材料制造的第一芯构件与硅材料制造的第二芯构件一起装入沉积反应器的内部空间；对第一芯构件进行电加热和通过电加热的第一芯构件来预热第二芯；对预热的第二芯构件进行电加热；以及呈对第一芯构件和第二芯构件进行电加热的状态将反应气体输入所述内部空间而进行硅沉积。

主权项

应用混合芯构件制备多晶硅棒的方法，它包括：(a)将电阻材料制造的第一芯构件与硅材料制造的第二芯构件一起装入沉积反应器的内部空间；(b)对第一芯构件进行电加热和通过电加热的第一芯构件来预热第二芯；(c)对预热的第二芯构件进行电加热；以及(d)呈对第一芯构件和第二芯构件进行电加热的状态将反应气体输入所述内部空间而进行硅沉积，其中，所述电阻材料选自：金属或合金，它包含至少一种选自下组的金属元素：钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、钽(Ta)、钼(Mo)、铌(Nb)、铱(Ir)、钌(Ru)、锝(Tc)、铪(Hf)、铑(Rh)、钒(V)、铬(Cr)、锆(Zr)、铂(Pt)、钍(Th)、镧(La)、钛(Ti)、镥(Lu)、钇(Y)、铁(Fe)、镍(Ni)、铝(Al)及其混合物；陶瓷金属材料，它包含至少一种选自下组的组分：硅化钼(Mo‑Si)、镧铬氧化物(La‑Cr‑O)、氧化锆及其混合物；或碳基材料，它包含至少一种选自下组的组分：无定形碳、石墨、碳化硅(SiC)及其混合物。