半导体衬底、电子器件、光学器件及其制造方法

摘要

本发明提供制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体。在搅拌下混合所述助熔剂混合物和所述III族元素的同时，生长III族氮化物基化合物半导体晶体。其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长期间，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。

主权项

一种制造用于电子器件或光学器件的半导体衬底的方法，所述方法包括：在包含选自碱金属和碱土金属中的多种金属元素的助熔剂混合物中，使得氮(N)与作为III族元素的镓(Ga)、铝(Al)或铟(In)反应，由此生长III族氮化物基化合物半导体晶体，其特征在于：在所述III族氮化物基化合物半导体晶体生长之前，通过使用H2、N2、NH3、稀有气体(He、Ne、Ar、Kr、Xe或Rn)或通过以任意比例混合选自这些气体中的两种或更多种气体获得的气体混合物作为清洗气体，使基础衬底或种晶的其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的晶体生长表面在900～1100℃温度下进行清洗处理1分钟或更长时间，和在清洗所述晶体生长表面之后，在所述基础衬底或种晶的所述晶体生长表面上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体，并且其中其上生长所述III族氮化物基化合物半导体晶体的所述基础衬底的至少一部分由助熔剂可溶材料形成，并且在所述半导体晶体的生长过程期间或所述半导体晶体生长完成后，在所述III族氮化物基化合物半导体晶体的生长温度附近的温度下，所述助熔剂可溶材料溶解于所述助熔剂混合物中。