| 摘要 |
1. Светоизлучающий модуль (1), содержащий: ! полупроводниковое светоизлучающее устройство (10), имеющее соединение, и ! терма-реле (20), ! отличающийся тем, что ! терма-реле оборудовано, чтобы шунтировать полупроводниковое светоизлучающее устройство. ! 2. Светоизлучающий модуль (1) по п.1, в котором терма-реле (20) оборудовано, чтобы действовать при заданной температуре шунта, для защиты соединения от достижения критической температуры в условиях эксплуатации. ! 3. Светоизлучающий модуль (1) по п.2, в котором терма-реле (20) содержит материал с ВКТР (30) с коэффициентом теплового расширения αВ и материал с НКТР (40) с коэффициентом теплового расширения αН и αВ > αН. ! 4. Светоизлучающий модуль (1) по п.3, в котором материал с ВКТР (30) содержит металл, и материал с НКТР (40) содержит керамику. ! 5. Светоизлучающий модуль (1) по п.3, в котором терма-реле (20) содержит биметаллический элемент. ! 6. Светоизлучающий модуль (1) по п.2, в котором материал с ВКТР (30) обеспечивается в двух частях (31, 32), части располагаются на расстоянии друг от друга, формируя тепловой зазор (36). ! 7. Светоизлучающий модуль (1) по п.6, в котором тепловой зазор (36) предусмотрен с заданным размером, определяющим температуру шунта. ! 8. Светоизлучающий модуль (1) по всем предшествующим пунктам, в котором терма-реле (20) располагается смежно с полупроводниковым светоизлучающим устройством (10). ! 9. Светоизлучающий модуль (1) по любому из пп.1-7, в котором полупроводниковое светоизлучающее устройство (10) содержит светоизлучающий диод или лазерный диод. ! 10. Способ для защиты полупроводникового светоизлучающего устройства (10) от перегрева, содержащий этапы: ! обеспечение полупроводникового свето |
