| 摘要 |
Полупроводниковая наногетероструктура, включающая в себя монокристаллическую полуизолирующую подложку GaAs (1), буферный слой GaAs (2), слой AlxGa1-xAs (3), ступенчатую квантовую яму (4), барьерный слой AlxGa1-xAs (8) и контактный слой GaAs (9), отличающаяся тем, что ступенчатая квантовая яма (4) состоит из нескольких слоев: верхнего переходного слоя GaAs (16, 20), в котором находятся два δ-слоя Si (17, 19) разделенные слоем GaAs (18) толщиной 0,5-3 нм, объемно-легированного слоя InyGa1-yAs (15) и нижнего переходного слоя GaAs (10, 14), в котором находятся два δ-слоя Si (11, 13) разделенные слоем GaAs (12) толщиной 0,5-3 нм, при этом соотношение концентраций доноров в дельта-легированных слоях и в объеме слоя InyGa1-yAs составляет от 0,3 до 3. |
