Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

摘要

Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, das zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (2) und einen Anschlussträger (5) mit einer Anschlussfläche (53), auf der der Halbleiterchip (2) angeordnet ist, aufweist. Auf dem Anschlussträger (5) ist eine Reflektorschicht (4) und eine Begrenzungsstruktur (3) ausgebildet ist, wobei die Begrenzungsstruktur (3) den Halbleiterchip (2) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise umläuft und die Reflektorschicht (4) in lateraler Richtung zumindest bereichsweise zwischen einer Seitenfläche (21) des Halbleiterchips und der Begrenzungsstruktur (3) verläuft. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements angegeben.