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Verfahren zur Bildung eines Schottky-Bauteils vom Grabentyp, mit den Schritten der Bildung von mit Abstand voneinander angeordneten Gräben in der Oberfläche eines Substrates, des Aufwachsens und nachfolgenden Entfernens einer dünnen Oxidschicht (40) in jedem Graben, um abgerundete Ecken am Boden der Gräben zu bilden, der Abscheidung einer Schicht aus Polysilizium (50) mit vorgegebener Dicke in das Innere der Gräben, um diese auszukleiden, des Oxidierens der Schicht aus Polysilizium, um diese in eine Oxidschicht mit einer vorgegebenen Dicke umzuwandeln, und des Oxidierens einer wenige 10 nm dicken Schicht des Substrates während des Oxidierens der Schicht aus Polysilizium, des Füllens der Gräben mit einer Schicht aus leitendem Polysilizium, das von dem Substrat durch die Oxidschicht isoliert ist, und des Aufbringens eines Schottky-Kontaktes auf die Oberseite des Substrates und in Kontakt mit den Oberseiten der Mesas zwischen den Gräben und mit dem leitenden Polysilizium in den Gräben.
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