一种双高K栅介质/金属栅结构的制作方法

摘要

本发明提供了双高K栅介质/金属栅结构的制作方法，包括提供具有浅沟槽隔离的半导体衬底，在半导体衬底及浅沟槽隔离上依次形成第一覆盖层、第一高K介质层、第一金属栅材料层以及第一多晶硅层，刻蚀上述四层，露出部分半导体衬底和部分第一覆盖层；在剩余的层上依次形成第二覆盖层、第二高K介质层、第二金属栅材料层以及第二多晶硅层；去除依次覆盖在第一多晶硅层上的第二覆盖层、第二高K介质层、第二金属栅材料层以及第二多晶硅层；去除依次覆盖在浅沟槽隔离上的各层；在浅沟槽隔离的两侧形成高K栅介质/金属栅结构，上述制作方法避免浅沟槽隔离受到损伤，进一步避免了由于浅沟槽隔离损伤引起的短路，提高了产品良率。

主权项

一种双高K栅介质/金属栅结构的制作方法，其特征在于，包括：提供具有浅沟槽隔离的半导体衬底，在所述半导体衬底及所述浅沟槽隔离上依次形成第一覆盖层、第一高K介质层、第一金属栅材料层以及第一多晶硅层，刻蚀所述第一覆盖层、所述第一高K介质层、所述第一金属栅材料层以及所述第一多晶硅层，露出部分所述半导体衬底和部分所述第一覆盖层，并且露出的部分所述第一覆盖层覆盖所述浅沟槽隔离；在剩余的第一多晶硅层、露出的所述第一覆盖层上以及露出的所述半导体衬底上依次形成第二覆盖层、第二高K介质层、第二金属栅材料层以及第二多晶硅层；去除依次覆盖在所述第一多晶硅层上的所述第二覆盖层、所述第二高K介质层、所述第二金属栅材料层以及所述第二多晶硅层；去除依次覆盖在所述浅沟槽隔离上的所述第一覆盖层、所述第二覆盖层、所述第二高K介质层、所述第二金属栅材料层以及第二多晶硅层；在所述浅沟槽隔离的两侧分别形成第一高K栅介质/金属栅结构以及第二高K栅介质/金属栅结构。