| 发明名称 | 发光器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于制造发光器件的方法。该方法包括形成镓氧化物层；在镓氧化物层上形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；在第二导电类型半导体层上形成导电衬底；分离所述镓氧化物层；以及在所述第一导电类型半导体层上形成第一电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102334203A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201080009478.0 | 申请日期 | 2010.02.25 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 文用泰 |
| 分类号 | H01L33/02(2006.01)I;H01L33/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种用于制造发光器件(LED)的方法，所述方法包括：形成镓氧化物层；在所述镓氧化物层上形成第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；在所述第二导电类型半导体层上形成第二电极层；以及分离所述镓氧化物层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||