| 发明名称 | 非易失性存储器件及其编程方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种非易失性存储器件的编程方法，包括以下步骤：将第一比特的数据编程到存储器单元阵列中的多个页中的目标页中；感测被编程的数据，并将感测到的数据储存到与存储器单元阵列耦接的页缓冲器中；擦除目标页的数据；将第二比特的数据输入至页缓冲器，并通过将储存在页缓冲器中的第二比特的数据和第一比特的数据进行组合来产生编程数据；以及将编程数据编程到目标页中。 | ||
| 申请公布号 | CN102332304A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201110190972.8 | 申请日期 | 2011.07.08 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朴镇寿 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件的编程方法，包括以下步骤：将第一比特的数据编程到存储器单元阵列中的多个页中的目标页中；感测被编程的数据，并将感测到的数据储存到与所述存储器单元阵列耦接的页缓冲器中；擦除所述目标页的数据；将第二比特的数据输入至所述页缓冲器，并通过将储存在所述页缓冲器中的所述第二比特的数据与所述第一比特的数据进行组合来产生编程数据；以及将所述编程数据编程到所述目标页中。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||