发明名称 |
半导体封装及制造该半导体封装的方法 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体封装及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括半导体芯片,其中,该半导体芯片包括半导体衬底和布置在该半导体衬底上的多个单元晶体管。单元晶体管的沟道区具有在第一方向上延伸的沟道长度,并且该封装进一步包括具有在其上粘附有半导体芯片的上表面的支撑衬底。该支撑衬底被构造成相应于温度增加而以在第一方向上将拉应力施加到半导体芯片的沟道区的方式弯曲。同时公开了相关的方法。 |
申请公布号 |
CN101459146B |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN200810184643.0 |
申请日期 |
2008.12.11 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
姜熙秀;李忠浩;赵慧珍 |
分类号 |
H01L23/12(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/12(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
穆德骏;陆锦华 |
主权项 |
一种半导体封装,包括:半导体芯片,所述半导体芯片包括半导体衬底和布置在所述半导体衬底上的多个单元晶体管,其中,所述单元晶体管的沟道区具有在第一方向上延伸的沟道长度;以及支撑衬底,所述支撑衬底具有在其上粘附有所述半导体芯片的上表面,其中,所述支撑衬底被构造成相应于温度增加而以在所述第一方向上将拉应力施加到所述半导体芯片的沟道区的方式弯曲,所述支撑衬底包括双金属,所述双金属包括第一金属板和在所述第一金属板上的第二金属板,其中,所述第二金属板处于所述第一金属板和所述半导体芯片之间,并且所述第一和第二金属板每个都具有比所述半导体衬底的宽度大的宽度,其中,所述第一金属板具有第一热膨胀系数,并且所述第二金属板具有与所述第一热膨胀系数不同的第二热膨胀系数。 |
地址 |
韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416番地 |