一种用于晶体硅太阳能电池激光边缘隔离的方法和装置

摘要

本发明公开了一种用于晶体硅太阳能电池激光边缘隔离的方法和装置，属于晶体硅太阳能电池边缘隔离的处理技术领域，为了解决现有离子刻蚀技术存在过刻、钻刻及不均匀的问题，在基件边缘四周内侧用激光刻蚀一定深度和宽度的沟槽，该沟槽必须穿透活性层与硅基体界面的PN结，将太阳能电池四周的漏电区与环形刻蚀沟槽区域隔离开来。通过视觉定位系统对基体边缘进行识别，控制系统通过数据线连接视觉定位系统和激光器光路扫描系统，控制系统控制激光器的激光头在基体边缘四周刻蚀一圈，形成环型沟槽。本发明去除了扩散后太阳能电池边缘的PN结，降低生产成本，提高晶体硅太阳能电池生产过程中的良品率。

主权项

一种用于晶体硅太阳能电池激光边缘隔离的方法，其特征是，在晶体硅太阳能电池基件的边缘四周内侧形成环形刻蚀沟槽(21)，该沟槽(21)穿透基件的抗反射层(22)、扩散层(23)和硅基体界面的PN结(24)，将晶体硅太阳能电池四周的漏电区与环形刻蚀沟槽(21)区域隔离开来。