发明名称 | 一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法,具体包括如下步骤:在衬底上制备三维微放电电极;在微电极表面沉积聚合物介质薄膜;形成介质和电极交替结构;在未覆盖介质的微电极上沉积一维纳米材料。本发明可以有效改善介质对微放电电极表面的覆盖性,增强了介质对离化的抑制作用,所形成的交替介质和电极结构,可避免电极间的碳纳米管的短路故障,提高器件的工作寿命和制备合格率。 | ||
申请公布号 | CN102332375A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
申请号 | CN201110226566.2 | 申请日期 | 2011.08.09 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 徐东;侯中宇;王雨化 |
分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 郭国中 |
主权项 | 一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法,包括如下步骤:步骤1,在衬底上制备三维微放电电极;步骤2,通过旋涂的方法在微放电电极表面沉积聚合物介质薄膜;步骤3,形成介质和电极交替结构:利用光刻胶作为掩膜层,通过光刻、显影方法,对介质薄膜图形化,图形化后仅在微放电电极对中的一个电极表面覆盖有介质薄膜;步骤4,在未覆盖介质的微放电电极上沉积一维纳米材料。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |