发明名称 分薄层的磁性器件、使用该器件的磁性隧道结和自旋阀
摘要 本发明涉及一种具有薄层的磁性器件,包括在衬底之上通过阴极溅射沉积的复合组体,所述复合组体包括:磁性层(2),由具有高垂直磁各向异性的材料制成,磁性层(2)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于所述层的平面外部;磁性层(3),与前一磁性层(2)直接接触,由具有高自旋极化率的铁磁性材料制成,磁性层(3)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于磁性层(3)的平面中,磁性层(3)与所述磁性层(2)的直接磁耦合引起包括两个磁性层(2)和(3)的组体的有效退磁场的减少;以及非磁性层(4),与前一磁性层(3)直接接触,以不会对穿过所述器件的电子去极化的材料制成。所述器件包括使得电流在基本上垂直于这些层的平面的方向上流过所述器件的装置。
申请公布号 CN101496120B 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN200780027747.4 申请日期 2007.07.13
申请人 原子能委员会;国家科学研究中心 发明人 贝纳德·罗德马克;贝纳德·迪耶尼
分类号 H01F10/32(2006.01)I 主分类号 H01F10/32(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 潘士霖;高少蔚
主权项 一种具有薄层的磁性器件,包括在衬底之上通过阴极溅射沉积的复合组体,所述复合组体包括:‑第一磁性层(2),由具有高垂直磁各向异性的材料制成,所述第一磁性层(2)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于所述层的平面外部,‑第二磁性层(3),与所述第一磁性层(2)直接接触,由具有高自旋极化率的铁磁性材料制成,所述第二磁性层(3)的磁化在不存在任何电或磁的交互作用的情况下位于所述第二磁性层(3)的平面中,并且所述第二磁性层(3)与所述第一磁性层(2)的直接磁耦合引起包括所述第一磁性层(2)和所述第二磁性层(3)的组体的有效退磁场的减少,‑非磁性层(4),与所述第二磁性层(3)直接接触,以不会对穿过所述器件的电子去极化的材料制成,所述器件还包括使得电流在基本上垂直于器件的层的平面的方向上流动通过器件的层的装置。
地址 法国巴黎