发明名称 |
等离子体刻蚀电介质层的方法 |
摘要 |
本发明提供一种等离子体刻蚀电介质层的方法,使用含硫的等离子体刻蚀电介质层,可以很好地保证在电介质层上刻蚀出的等离子体符合预期。另外,本发明先还利用不含硫的第二等离子体刻蚀硬膜层,再利用含硫的第一等离子体刻蚀电介质层,既能利用含硫的等离子体刻蚀电介质层从而保持良好的刻蚀形状,又能防止硫与有机掩膜层形成阻隔层,从而避免难以去除有机掩膜层的缺陷。 |
申请公布号 |
CN101465293B |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN200810205372.2 |
申请日期 |
2008.12.31 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
凯文·皮尔斯;倪图强 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
李丽 |
主权项 |
一种等离子体刻蚀电介质层的方法,其特征在于:提供一半导体衬底,衬底上包括一电介质层和位于电介质层上的硬膜层和光刻胶层,所述电介质层的材料为无定型碳;图形化光刻胶层;以图形化的光刻胶层为掩膜,利用不含硫的等离子刻蚀气体图形化所述硬膜层,并在完成硬膜层刻蚀后去除所述光刻胶层,所述不含硫的等离子刻蚀气体中包括氟,且硬膜层由硅氮化合物组成;并且,以图形化的硬膜层为掩膜用含硫等离子刻蚀气体刻蚀所述电介质层。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |