| 发明名称 | 一种拓扑绝缘体材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种拓扑绝缘体材及其制备方法，属于新材料的制备领域。该拓扑绝缘体材料是由尺寸均一的竹节状硒化铋纳米结构组成的竹节状硒化铋纳米结构阵列。本发明采用模板辅助的方法，在模板上直接得到规整的竹节状硒化铋(铜掺杂)纳米结构阵列，制得的纳米材料具有调控材料的拓扑绝缘性能。较之于传统硒化铋材料的制备，本发明具有工艺简单、成本低廉和一次性成型等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102020253B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201010537082.5 | 申请日期 | 2010.11.09 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 吴凯;黄斌;韦嵥;陈其伟;陈静 |
| 分类号 | C01B19/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C25D9/04(2006.01)I;C25D5/18(2006.01)I | 主分类号 | C01B19/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人 | 贾晓玲 |
| 主权项 | 一种拓扑绝缘体材料，其特征在于，该材料为硒化铋纳米结构及其阵列，其中，硒化铋纳米结构为竹节状，其阵列由多根尺寸均一的竹节状硒化铋纳米结构组成。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||