发明名称 大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片
摘要 本发明公开了一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片,其包括一9.55*6.35*1mm的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻形成衰减电路,所述电阻上印刷有玻璃保护膜,所述玻璃保护膜及导线上印刷有第一黑色保护膜,所述第一黑色保护膜上印刷有一介质层。该衰减片在第一黑色保护膜上加印了一层介质层,这样能够有效的改善衰减片的衰减精度,使得该衰减片能够满足目前3G网络的应用要求且能够承受150瓦的功率的技术要求。
申请公布号 CN102332630A 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201110205653.X 申请日期 2011.07.22
申请人 苏州市新诚氏电子有限公司 发明人 郝敏
分类号 H01P1/22(2006.01)I 主分类号 H01P1/22(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片,其特征在于:其包括一9.55*6.35*1MM的氮化铝基板,所述氮化铝基板的背面印刷有背导层,所述氮化铝基板的正面印刷有导线及电阻,所述导线连接所述电阻形成衰减电路,所述电阻上印刷有玻璃保护膜。
地址 215000 江苏省苏州市高新区鹿山路环保产业园18幢