发明名称 太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法
摘要 一种太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法。包括步骤有:金属杂质在二氧化硅的溶解度大于在晶体硅中的溶解度,先在800℃左右通氧气在晶体硅表面形成一层二氧化硅薄膜;再升温至1000℃让金属杂质扩散至硅表面溶解于二氧化硅中;然后降温至850℃正常方法扩散,通过去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金属杂质,减少金属杂质对少数载流子的复合,达到提高少子寿命的目的。与现有技术比本发明通过较高温度(1000℃)能有效去除金属杂质,减少金属杂质对少数载流子的复合,提高少子寿命,提高短路电流和开路电压,从而提高电池片效率。另外通过磷吸杂方法也能达到去除金属杂质的目的。
申请公布号 CN102332393A 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201110302097.8 申请日期 2011.09.28
申请人 桂林尚科光伏技术有限责任公司 发明人 孙良欣;郭玉林;梁志新
分类号 H01L21/22(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L21/22(2006.01)I
代理机构 北京市商泰律师事务所 11255 代理人 毛燕生
主权项 一种太阳能电池制造过程中提高电池片少子寿命的扩散方法,其特征在于含有以下步骤:金属杂质在二氧化硅的溶解度大于在晶体硅中的溶解度,先在800℃左右通氧气在晶体硅表面形成一层二氧化硅薄膜;再升温至1000℃让金属杂质扩散至硅表面溶解于二氧化硅中;然后降温至850℃正常方法扩散,通过去磷硅玻璃去除溶解在磷硅玻璃中的金属杂质,减少金属杂质对少数载流子的复合,达到提高少子寿命的目的。
地址 541300 广西壮族自治区桂林市兴安县工业集中区C1区