毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法

摘要

本发明涉及硅外延片，具体涉及毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法，其所采用的技术方案为：毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法的特征在于：首先用HCl来气腐衬底表面的杂质和金属原子并用大流量氢气吹除；其次是在高浓度的衬底表面生长第一层外延并对衬底片表面和边缘进行包封；然后生长第二层的N型外延层；最后生长第三层的P型外延层；其具有的有益效果是：可以形成洁净的生长区；在N型、P型外延层生长前预通N型、P型掺杂剂可以获得稳定的外延层厚度且采用较低的生长温度和较低的淀积速率，可以减小过渡区。

主权项

一种毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法，其特征在于：首先用HCl来气腐衬底表面的杂质和金属原子并用大流量氢气吹除；其次是在高浓度的衬底表面生长第一层纯度外延层并对衬底片表面和边缘进行包封，控制其生长温度、淀积速率和外延时间，以使包封层达到理想效果，同时考虑低温淀积以减少自掺杂杂质的蒸汽压和固态扩散速率，选择合适的外延条件，保证外延片表面的平整度和局部平整度；然后生长第二层的N型外延层，靠近PN交界面的浓度高于平坦区的浓度，其电阻率和厚度符合器件要求；最后生长第三层的P型外延层，靠近PN交界面的浓度高于平坦区的浓度，其电阻率和厚度符合器件要求。