二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表面具有第二导电类型掺杂，所述第二导电类型掺杂与未被掺杂的第一导电类型半导体构成驱动二极管结构，进而对上方的存储单元进行选通和驱动。本发明通过扩散工艺使存储器材料扩散到半导体中形成二极管结构，从而大幅度提高存储器的存储密度，而且本发明的工艺简便，成本低，能够增强二极管驱动电阻转换存储器单元的市场竞争能力。

主权项

一种二极管驱动电阻转换存储器单元，其特征在于：所述存储器单元包括基底、设置在基底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体为P型半导体，所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表面被存储单元原子通过扩散形成第二导电类型掺杂区域，所述第二导电类型掺杂区域为N型区域，所述第二导电类型掺杂区域与未被掺杂的第一导电类型半导体形成P‑N结，构成二极管结构；所述存储单元的材料为具有电阻转换能力的材料；所述存储单元为：a)Sb3.6Te相变材料，经扩散工艺后相变材料中的Sb和Te原子扩散到p型掺杂硅中，形成n型区域；或b)由界面被基底上的p型Si原子扩散而形成的具有电阻转换能力的掺Si的Sb材料，且该材料中Sb原子的原子百分比在40％～100％之间；或c)由界面被电极中的Ti原子扩散而形成的具有电阻转换能力的掺Ti的Sb材料，且该材料中Sb原子的原子百分比在40％～100％之间；或d)GeSbTe相变材料，经扩散工艺后相变材料中的Ge、Sb和Te原子扩散到p型掺杂硅中，形成n型区域。