发明名称 基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器
摘要 本发明公开了一种基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器。它基于MZ干涉结构,由两个干涉臂分别连接分束器和合束器而成;在两根弯绕的光纤干涉臂中分别植入磁光材料覆盖层,两片磁光材料覆盖层植入的位置要保证光的传输方向平行相反。把非互易相移引入MZ结构,光在两光纤干涉臂传播产生的相位差是非互易、推挽方式工作的,受周围环境等因素(如温度、应力等)产生的互易相移量通过MZ干涉结构抵消。利用磁光材料的非互易特性,结合MZ结构的干涉特性,通过对结构参数的优化,可以实现高稳定性、高灵敏度的电流探测。本发明具有结构通俗,工艺简单,设计灵活,功能性强等特点,在对复杂环境下电流传感有广泛的应用前景和应用价值。
申请公布号 CN101806824B 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201010127829.X 申请日期 2010.03.19
申请人 浙江大学 发明人 姜国敏;江晓清;陈瑞宜;杨建义;郝寅雷;王明华
分类号 G01R19/00(2006.01)I;G01D3/032(2006.01)I 主分类号 G01R19/00(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 林怀禹
主权项 一种基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器,它基于MZ干涉结构,由两个干涉臂分别连接分束器和合束器而成;其特征在于:在两个弯绕的光纤干涉臂中分别植入磁光材料覆盖层,两磁光材料覆盖层植入的位置要保证光的传输方向平行相反;由于磁光效应在两干涉臂引起了不同的相移延迟,光在两个光纤干涉臂中传播时产生相位差只与引起磁光效应的被测电流有关,根据相位差与被测电流的关系,构成电流传感器;基于磁光非互易特性的MZ干涉结构的电流传感器,将周围环境中温度和应力产生的互易相移量通过MZ干涉抵消,提高了电流传感器的稳定性与灵敏度;所述的两个磁光材料覆盖层的材料相同,几何尺寸相等;所述的两个弯绕的光纤干涉臂总长度相等,弯绕次数相同。
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