发明名称 |
一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法,该方法包括一波导及调谐装置、一石英微波窗口、一氢气进气口、一等离子室、2个弧形Cu靶电极、一冷却水系统、一视窗、一基座及加热装置、一真空系统、一微波系统、一镀膜室、一成膜衬底、一载气进气口和一碘蒸气进气口。本方法以微波辐照产生氩的等离子体,轰击铜靶;以纯铜作靶,碘蒸汽为碘源,以微波辐照产生等离子体;微波辐照使铜、碘在到达基片之前一直处于等离子状态;将微波辐照与离子轰击结合在一起,保证成膜是以离子的形式进行。 |
申请公布号 |
CN101509122B |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN200910131816.7 |
申请日期 |
2009.04.08 |
申请人 |
青岛科技大学 |
发明人 |
孙四通;于庆先 |
分类号 |
C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/40(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京天平专利商标代理有限公司 11239 |
代理人 |
王宏星 |
主权项 |
一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法,其特征是:该制备方法以微波辐照产生氩的等离子体,轰击铜靶;以纯铜作靶,采用交流辉光放电由氩离子溅射出铜离子,同时用微波辐照维持等离子状态;通入碘的蒸汽,微波辐照下形成碘离子;铜离子与碘离子共同在基片上沉积成碘化亚铜薄半导体膜;将微波辐照与离子轰击结合在一起,保证成膜是以离子的形式进行。 |
地址 |
266034 山东省青岛市四方区郑州路53号 |