一种空穴传输型有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种空穴传输型有机薄膜晶体管及其制备方法。所述空穴传输型有机薄膜晶体管，其结构为底栅顶接触式或底栅底接触式，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、第一过渡层、P型有机半导体层、源电极和漏电极，所述P型有机半导体层包括第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有空穴阻挡层，在空穴阻挡层和第二有机半导体层间设有第二过渡层。本发明采用一层空穴阻挡层插入有机功能层中间将传统的单沟道传输变为双层沟道传输，在绝缘层及空穴阻挡层上分别制备一层过渡层提高了两层有机功能层结晶程度来达到接近单晶有机晶体管的高迁移率特性，从而大幅的降低了制备成本，更适宜大规模产业化生产。

主权项

一种空穴传输型有机薄膜晶体管，其结构为底栅顶接触式或底栅底接触式，包括衬底、栅电极、栅极绝缘层、第一过渡层、P型有机半导体层、源电极和漏电极，其特征在于：所述P型有机半导体层包括第一有机半导体层和第二有机半导体层，在第一有机半导体层和第二有机半导体层间设有空穴阻挡层，在空穴阻挡层和第二有机半导体层间设有第二过渡层。